集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè)，2019年景氣仍然持續(xù)向上。雖然仍受到全球貿(mào)易不穩(wěn)定等因素影響，但在需求驅(qū)動(dòng)下，受影響程度要小于其他IC產(chǎn)品。集邦咨詢預(yù)估，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2907億元，較2018年成長(zhǎng)12.17%，維持雙位數(shù)的成長(zhǎng)表現(xiàn)。
受益于政策推動(dòng)和缺貨漲價(jià)的狀況，2018年多家中國(guó)大陸功率半導(dǎo)體廠商取得亮眼的成績(jī)，并擴(kuò)大布局。其中，比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢(shì)，在車用IGBT市場(chǎng)快速崛起，取得中國(guó)大陸車用IGBT市場(chǎng)超過兩成的市占率，一躍成為中國(guó)大陸銷售額前三的IGBT供應(yīng)商；MOSFET廠商華微電子和揚(yáng)杰科技營(yíng)收大增，并且逐漸導(dǎo)入IGBT市場(chǎng)。
新建與規(guī)劃中的IGBT產(chǎn)線有士蘭微廈門12英寸特色工藝產(chǎn)線、華潤(rùn)微電子在重慶建設(shè)的12英寸特色工藝產(chǎn)線，以及積塔半導(dǎo)體專業(yè)汽車級(jí)IGBT產(chǎn)線等。同時(shí)，多家廠商也投入研發(fā)SiC等新材料技術(shù)領(lǐng)域，基本半導(dǎo)體的SiC MOSFET已進(jìn)入量產(chǎn)上市，而定位為代工的三安光電SiC產(chǎn)線已開始接單，比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiC MOSFET，其目標(biāo)是到2023年實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET對(duì)硅基IGBT的全面替代。